自旋热电子学，是自旋电子学与传统热电器件的结合，将电子自旋作为一个新的自由度引入传统热电器件的研究，探索热、电子自旋及电荷、声子及磁子相互作用基本规律，探讨新物理效应及策略以提高热电性能。最初的研究是在铁磁金属薄膜合金中，由于自旋发生劈裂，温度梯度驱动下，在材料中产生自旋电压。随后，研究拓展到铁磁绝缘体和磁性半导体，提出了纵向和横向自旋赛克效应，在这些效应中，磁性金属都是必不可少的元素。在该工作中，我们在研究一种类石墨烯结构的二维非磁半导体：单层过渡金属硫化物（TMDCs,如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等）中自旋热输运时，发现一种新效应：利用反常能斯特效应可以产生由温度梯度驱动的横向纯自旋流，并提出了一种H型器件检测在TMDCs中的新效应。此项研究所提出产生纯自旋流的新方案，对自旋热电子学的进一步发展和应用具有重要的意义。
Xiao-Qin Yu, Zhen-Gang Zhu, Gang Su, and A. – P. Jauho, “Thermally driven pure spin and valley currents via the anomalous Nernst effect in monolayer group-VI dichalcogenides ”, Phys. Rev. Lett. 115, 246601 (2015).